IPP50R280CEXKSA1
Symbol Micros:
TIPP50r280ce
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 280mOhm; 13A; 92W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 92W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 13V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP50R280CEXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7962 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 92W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 13V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |