IPP60R099C6
Symbol Micros:
TIPP60r099c6
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP60R099C6XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R099C6XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1725 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,9904 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R099C6XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1248 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,3878 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R099C6XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
25 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 14,1225 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |