IPP60R190C6
Symbol Micros:
TIPP60r190c6
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP06R190C6XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 440mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R190C6 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,0600 | 7,1900 | 6,2600 | 6,1500 | 6,0400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R190C6XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
7448 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,0400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R190C6XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
136 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4204 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 440mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |