IPW60R099C6
Symbol Micros:
TIPW60r099c6
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R099C6FKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R099C6FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 21,5900 | 19,8800 | 18,8300 | 18,3000 | 17,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R099C6FKSA1
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
480 szt.
| ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 17,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R099C6FKSA1
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
229 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 17,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |