IPW60R125P6
Symbol Micros:
TIPW60r125p6
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 293mOhm; 30A; 219W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW60R125P6XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 293mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 219W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R125P6XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 28,2100 | 23,9200 | 21,2900 | 19,9500 | 19,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R125P6XKSA1
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 19,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 293mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 219W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |