IPW60R190E6
Symbol Micros:
TIPW60r190e6
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 440mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R190E6FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 14,4000 | 11,9000 | 10,4300 | 9,7100 | 9,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R190E6FKSA1
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
119 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,6184 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 440mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |