IRF1010E

Symbol Micros: TIRF1010
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 12mOhm
Maksymalny prąd drenu: 84A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1010EPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
375 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
cena netto (PLN) 4,5400 3,0100 2,3200 2,1900 2,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1200 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
9842 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 12mOhm
Maksymalny prąd drenu: 84A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta