IRF1010EZ
Symbol Micros:
TIRF1010ez
Obudowa: TO220
N-MOSFET HEXFET 60V 84A 140W 0,012Ω IRF1010EZPBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 84A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010EZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
10030 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4502 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010EZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3920 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 84A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |