IRF1010N
Symbol Micros:
TIRF1010n
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 85A |
| Maksymalna tracona moc: | 180W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF1010NPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 44+ | 176+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9400 | 3,6200 | 2,9000 | 2,5000 | 2,3500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
7788 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1130 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5934 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 85A |
| Maksymalna tracona moc: | 180W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |