IRF1010ZS
Symbol Micros:
TIRF1010zs
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010ZSTRLPBF; Discontinued IRF1010ZSTRLPBF; LTB:31.03.2025; replacement: IRF3205ZSTRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 7,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 94A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010ZSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
6400 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,0709 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010ZSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
3200 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9667 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010ZSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
2170 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,5169 |
Rezystancja otwartego kanału: | 7,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 94A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |