IRF1018EPBF

Symbol Micros: TIRF1018e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; IRF1018E;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1018EPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
160 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2600 1,7800 1,6200 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3550 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1018EPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2600 1,7800 1,6200 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1230 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta