IRF1312

Symbol Micros: TIRF1312
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 95A; 210W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 95A
Maksymalna tracona moc: 210W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1312 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
44 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 44+ 132+
cena netto (PLN) 6,8200 5,1900 4,2800 3,7600 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
44
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 95A
Maksymalna tracona moc: 210W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT