IRF250P225

Symbol Micros: TIRF250P225
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 22mOhm; 69A; 313W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 22mOhm
Maksymalny prąd drenu: 69A
Maksymalna tracona moc: 313W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF250P225 RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 25,4900 21,4600 19,0400 17,8300 17,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF250P225 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
357 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 22mOhm
Maksymalny prąd drenu: 69A
Maksymalna tracona moc: 313W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT