IRF250P225
Symbol Micros:
TIRF250P225
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 22mOhm; 69A; 313W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 69A |
Maksymalna tracona moc: | 313W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF250P225 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 25,4900 | 21,4600 | 19,0400 | 17,8300 | 17,1100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF250P225
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
357 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 17,1100 |
Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 69A |
Maksymalna tracona moc: | 313W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |