IRF2805PBF
Symbol Micros:
TIRF2805
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF2805LPBF; IRF2805PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 175A |
| Maksymalna tracona moc: | 330W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF2805PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,9200 | 6,3200 | 5,4100 | 4,8600 | 4,6600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 175A |
| Maksymalna tracona moc: | 330W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |