IRF2807S

Symbol Micros: TIRF2807s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF2807SPBF; IRF2807STRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13mOhm
Maksymalny prąd drenu: 82A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF2807STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4400 4,9200 4,0700 3,5700 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF2807STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF2807STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
990 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 13mOhm
Maksymalny prąd drenu: 82A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD