IRF3415
Symbol Micros:
TIRF3415
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3415PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 42mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 43A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF3415 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6300 | 5,0600 | 4,1900 | 3,6700 | 3,4900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3415PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
9343 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3415PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
640 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 42mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 43A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |