IRF3710ZSTRLPBF
Symbol Micros:
TIRF3710zs
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710ZSTRLPBF; IRF3710ZSPBF; IRF3710ZSTRRPBF; IRF3710ZSPBF-GURT; IRF3710ZSTRLPBF; IRF3710ZSTRLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 59A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710ZSTR RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
Stan magazynowy:
795 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9500 | 4,8700 | 4,1400 | 3,7800 | 3,6600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710ZSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
65600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710ZSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
9600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710ZSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1050 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 59A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |