IRF3805SPBF

Symbol Micros: TIRF3805s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270mA
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: D2PAK
Producent: VBsemi
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: VBsemi Symbol producenta: IRF3805S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,0600 6,7200 5,9500 5,5800 5,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
40
Producent: VBsemi Symbol producenta: IRF3805S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,0600 6,7200 5,9500 5,5800 5,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: VBsemi Symbol producenta: IRF3805S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,0600 6,7200 5,9500 5,5800 5,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF3805STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270mA
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: D2PAK
Producent: VBsemi
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD