IRF3808S
Symbol Micros:
TIRF3808s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7mOhm; 106A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3808STRLPBF; IRF3808SPBF; IRF3808STRRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 106A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3808STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8065 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3808STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1280 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5233 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 106A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |