IRF4905

Symbol Micros: TIRF4905
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 74A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
7550 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6600 4,3200 3,5800 3,1300 2,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
112050 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
14966 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
8255 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3703
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 74A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT
Opis szczegółowy

Producent: INTERNATIONAL RECTIFIER
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: -55V
Prąd drenu: -74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 750mK/W
Montaż: THT
Ładunek bramki: 120nC

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta