IRF4905LPBF
Symbol Micros:
TIRF4905L
Obudowa: TO262
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO262 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF4905L RoHS
Obudowa dokładna: TO262
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,8400 | 9,0900 | 7,7300 | 7,5600 | 7,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF4905LPBF
Obudowa dokładna: TO262
Magazyn zewnetrzny:
493 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF4905LPBF
Obudowa dokładna: TO262
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,4000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO262 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |