IRF4905STRLPBF

Symbol Micros: TIRF4905s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905STRLPBF; IRF4905SPBF-GURT; IRF4905STRRPBF; IRF4905S smd;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 70A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
2400 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,6000 6,0200 5,1300 4,7100 4,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Stan magazynowy:
1350 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,6000 6,0200 5,1300 4,7100 4,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800/4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
3100 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1431
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 70A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD