IRF5210STRLPBF
Symbol Micros:
TIRF5210s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5210STRLPBF; IRF5210SPBF; IRF5210STRRPBF; IRF5210SPBF-GURT; IRF5210S SMD;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 38A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5210STRLPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy:
60 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,7700 | 6,4800 | 5,7400 | 5,3900 | 5,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5210STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
84800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5210STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
25600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5210STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
6140 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1800 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-07-31
Ilość szt.: 800
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 38A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |