IRF530A
Symbol Micros:
TIRF530 a
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 14A; 55W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 55W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: IRF530A
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1322 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9901 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 55W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |