IRF530NS
Symbol Micros:
TIRF530 ns
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF530NS RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,8500 | 4,4700 | 3,7000 | 3,2400 | 3,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
67200 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |