IRF5305STRLPBF

Symbol Micros: TIRF5305s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305SPBF; IRF5305STRLPBF; IRF5305STRRPBF; IRF5305SPBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5305STRL RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 40+ 80+
cena netto (PLN) 6,8000 5,1400 4,2100 3,7100 3,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
80
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5305STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
121400 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5305STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5305STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
1580 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD