IRF5305STRLPBF
Symbol Micros:
TIRF5305s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305SPBF; IRF5305STRLPBF; IRF5305STRRPBF; IRF5305SPBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5305STRL RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 40+ | 80+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,8000 | 5,1400 | 4,2100 | 3,7100 | 3,5800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5305STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
121400 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,5800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5305STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,5800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF5305STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
1580 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,5800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |