IRF530N

Symbol Micros: TIRF530n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NPBF; IRF 530 N PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF530N RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
350 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8700 1,4700 1,3300 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF530NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
11350 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF530NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
290 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3121
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta