IRF530N

Symbol Micros: TIRF530n

Obudowa: TO220

Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NPBF; IRF 530 N PBF;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	110mOhm
Maksymalny prąd drenu:	17A
Maksymalna tracona moc:	79W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF530N RoHS Obudowa dokładna: TO220

Stan magazynowy:

200 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	500+
cena netto (PLN)	3,1100	1,9500	1,5300	1,3900	1,3500

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF530NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

483 szt.

ilość szt.	10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,3500

Rezystancja otwartego kanału:	110mOhm
Maksymalny prąd drenu:	17A
Maksymalna tracona moc:	79W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT

Ilość szt.	1+	3+	10+	50+	200+
cena netto (PLN)	3,7800	2,7700	2,2300	1,9100	1,8000

Ilość szt.	25+
cena netto (PLN)	1,8000

Ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,8500	1,8100	1,4300	1,3000	1,2400