IRF540
Symbol Micros:
TIRF540
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP30NF10 IRF540PBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 77mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF540 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3200 | 4,0600 | 3,3600 | 2,9500 | 2,8000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF540PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
348 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF540PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF540PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2200 szt.
| ilość szt. | 25+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 77mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |