IRFI540NPBF
Symbol Micros:
TIRF540 iso
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540NPBF; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFI540NPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
92 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9900 | 4,5700 | 3,7800 | 3,3100 | 3,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI540NPBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
6155 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI540NPBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |