IRF540NPBF

Symbol Micros: TIRF540n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NPBF; IRF 540 N PBF; IRF540N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
8469 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7800 2,7700 2,2300 1,9100 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7800 2,7700 2,2300 1,9100 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000/4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
105407 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
7050 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT