IRF540NS
Symbol Micros:
TIRF540ns
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 33A |
Maksymalna tracona moc: | 130W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF540NS RoHS IRF540NSTRL RoHS IRF540NST
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
105 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,6600 | 2,3200 | 1,8300 | 1,6500 | 1,5900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,6274 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
5230 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9739 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,5900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 33A |
Maksymalna tracona moc: | 130W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |