IRF610
Symbol Micros:
TIRF610
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,3A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF610PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF610PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
12900 szt.
| ilość szt. | 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8218 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF610PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1175 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0245 |
Producent: -
Symbol producenta: IRF610PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7545 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-06-06
Ilość szt.: 450
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |