IRF610
Symbol Micros:
TIRF610
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,3A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF610PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF610PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 350+ | 1050+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3800 | 1,4400 | 1,1100 | 0,9800 | 0,9530 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF610PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
14600 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9530 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF610PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
375 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0205 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |