IRF620G

Symbol Micros: TIRF620 iso
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
N-MOSFET 4.1A 200V 30W 0.8Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Maksymalna tracona moc: 30W
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFI620GPBF Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6983
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Maksymalna tracona moc: 30W
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta