IRF630S
Symbol Micros:
TIRF630s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 74W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF630S RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7200 | 2,7300 | 2,1900 | 1,8800 | 1,7700 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF630SPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0076 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 74W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |