IRF634

Symbol Micros: TIRF634
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 450mOhm; 8,1A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF634PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,1A
Maksymalna tracona moc: 74W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF634 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4500 1,9300 1,7600 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF634 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7300 2,3600 1,8600 1,7000 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF634PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
850 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF634PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
225 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9884
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,1A
Maksymalna tracona moc: 74W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT