IRF6645 Infineon
Symbol Micros:
TIRF6645
Obudowa: DirectFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 35mOhm; 5,7A; 2,2W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF6645TRPBF; IRF6645PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | DirectFET |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF6645TR RoHS
Obudowa dokładna: DirectFET
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,5000 | 5,5600 | 4,8600 | 4,5200 | 4,4100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF6645TR RoHS
Obudowa dokładna: DirectFET
Stan magazynowy:
46 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2900 | 5,8200 | 4,9800 | 4,4700 | 4,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | DirectFET |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |