IRF7103TRPBF
Symbol Micros:
TIRF7103
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TRPBFXTMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7103 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7380 | 0,5800 | 0,5370 | 0,5150 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7103TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
23818 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7380 | 0,5800 | 0,5370 | 0,5150 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7103TRPBFXTMA1
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6308 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7103TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
4840 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7822 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7103TRPBFXTMA1
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6057 |
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |
Opis szczegółowy
Producent: INTERNATIONAL RECTIFIER
Typ tranzystora: N-MOSFET x2
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SOP08
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 200mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC