IRF7105 smd

Symbol Micros: TIRF7105
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7105PBF; IRF7105TRPBF; IRF7105TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7105TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5749
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7105TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7105TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
7050 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7112
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD