IRF7201 smd
Symbol Micros:
TIRF7201
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF7201TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
93 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,7200 | 1,3500 | 1,2300 | 1,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7201TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |