IRF7306TRPBF
Symbol Micros:
TIRF7306
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7306PBF (SPQ95); IRF7306TRPBF (4K/REEL); IRF7306; IRF7306PBF-GURT; IRF7306; IRF7306TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7306TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
352 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0000 | 2,5400 | 2,0000 | 1,8200 | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7306TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7306TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Opis szczegółowy
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: P-MOSFET x2
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: -30V
Prąd drenu: -3.6A
Moc: 2W
Obudowa: SO8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 160mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 16.7nC