IRF7316TRPBF

Symbol Micros: TIRF7316

Obudowa: SOP08

Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7316TRPBF; IRF7316PBF-GURT; IRF7316; CJQ4953/SOP8;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	98mOhm
Maksymalny prąd drenu:	4,9A
Maksymalna tracona moc:	2W
Obudowa:	SOP08
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	2xP-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7316TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r

Stan magazynowy:

0 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	3,2000	2,0300	1,6000	1,4600	1,3900

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7316TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

0 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	3,2000	2,0300	1,6000	1,4600	1,3900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7316TRPBF Obudowa dokładna: SOP08

Magazyn zewnetrzny:

6750 szt.

ilość szt.	50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,3900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7316TRPBF Obudowa dokładna: SOP08

Magazyn zewnetrzny:

88000 szt.

ilość szt.	4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,3900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7316TRPBF Obudowa dokładna: SOP08

Magazyn zewnetrzny:

68000 szt.

ilość szt.	4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,3900

Rezystancja otwartego kanału:	98mOhm
Maksymalny prąd drenu:	4,9A
Maksymalna tracona moc:	2W
Obudowa:	SOP08
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD