IRF7317TRPBF

Symbol Micros: TIRF7317
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 98mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,6A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7317TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7700 2,3900 1,8900 1,7200 1,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7317TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 3,7000 2,4500 1,9600 1,7900 1,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
150 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 98mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,6A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD