IRF7342TRPBF

Symbol Micros: TIRF7342
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7342TRPBF; IRF7342PBF; IRF7342PBF-GURT; IRF7342 smd; IRF 7342 TRPBF; IRF7342TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,4A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7342TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9200 1,8500 1,4600 1,3300 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7342TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7342TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7342TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9200 1,8500 1,4600 1,3300 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7342TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
15100 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4638
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-05-20
Ilość szt.: 1500
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,4A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta