IRF7343 smd

Symbol Micros: TIRF7343
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7343TRPBF; IRF7343PBF-GURT; IRF 7343 TRPBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7343TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0463
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7343TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
37450 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3782
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: - Symbol producenta: IRF 7343 TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
2855 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,0964
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-05-23
Ilość szt.: 600
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD