IRF7389

Symbol Micros: TIRF7389
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7389PBF; IRF7389TRPBF; IRF7389PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 98mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7389TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
3330 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,6000 3,0600 2,5300 2,2800 2,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7389TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7389TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 98mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta