IRFI740G

Symbol Micros: TIRF740 iso
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 5,4A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFI740GPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,4A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO220iso
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFI740G RoHS Obudowa dokładna: TO220iso  
Stan magazynowy:
29 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 4,7500 3,3200 2,6500 2,5400 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFI740GPBF Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
4100 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFI740GPBF Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9015
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: - Symbol producenta: IRFI740GPBF Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,4A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO220iso
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT