IRF7820
Symbol Micros:
TIRF7820
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF7820TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,9200 | 3,7600 | 3,1100 | 2,7200 | 2,5900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7820TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,5900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7820TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2700 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,5900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |