IRF7832 smd
Symbol Micros:
TIRF7832
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: IRF7832TRPBF; IRF7832PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4,8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF7832TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 7,1100 | 5,4200 | 4,4900 | 3,9300 | 3,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7832TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7832TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,7400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 4,8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 155°C |
Montaż: | SMD |