IRF7832 smd

Symbol Micros: TIRF7832
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: IRF7832TRPBF; IRF7832PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7832TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,1100 5,4200 4,4900 3,9300 3,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7832TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7832TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 155°C
Montaż: SMD