IRF7842TRPBF
Symbol Micros:
TIRF7842
Obudowa: SOIC08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,9mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7842TRPBF; IRF7842PBF-GURT; IRF7842PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7842TRPBF
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8113 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7842TRPBF
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8868 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7842TRPBF
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
6100 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2449 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |