IRF7855

Symbol Micros: TIRF7855
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,4mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7855PBF; IRF7855TRPBF; IRF7855PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7855TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7403
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7855TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8128
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7855TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1511
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 9,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD