IRF7855
Symbol Micros:
TIRF7855
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,4mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7855PBF; IRF7855TRPBF; IRF7855PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 9,4mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7855TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7403 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7855TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,8128 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7855TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1511 |
Rezystancja otwartego kanału: | 9,4mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |